Tel: +86-0755-83501315
E -posta:sales@sic-components.com
İmaj | Ürün numarasi | Fiyatlandalma (USD) | Miktar | Ecad | Mevcut Miktar | Ağız (kg) | MFR | Seri | Paketi | Ürün Durumu | Montaj Türü | Paket / Dava | Teknoloji | Tedarikçi Cihaz Paketi | Veri Sayfasi | Nem Duyarlik Seviyesi (MSL) | Yarık | ECCN | Htsus | Standart Paket | Hantal | DIYOT YAPALANDIRMAMES | Voltaj - DC Ters (VR) (MAKS) | AKIM - Ortalama Düzeltilmiş (IO) (DIYOT DACHINA) | Voltaj - Ileri (VF) (MAKS) @ | Ters Kurtarma Süresi (TRR) | AKIM - Ters SezıTı @ Vr | Çelikma Sıcakli - Kavşak | AKIM - Ortalama Düzeltilmiş (IO) | Kapasitance @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | G3S12002H | 3.8200 | ![]() | 8263 | 0.00000000 | Global Suç Teknolojisi-GPT | - | Kesim Bant (CT) | Aktif | Delmek | 220-2-tam paket | Sic (Silikon Karbür) Schottky | 220f - | indirmek | 1 (Sınezz) | Talep Üserin Mevcut Bilgilere Ulşaşın | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | İYILEŞME Süresi Yok> 500mA (IO) | 1200 V | 1.7 V @ 2 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 7.3A | 136pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G3S06506C | 4.0700 | ![]() | 4536 | 0.00000000 | Global Suç Teknolojisi-GPT | - | Kesim Bant (CT) | Aktif | Yezey MontaJı | TO-252-3, DPAK (2 Potansiyel Olma + Sekmesi), SC-63 | Sic (Silikon Karbür) Schottky | 252 | indirmek | 1 (Sınezz) | Talep Üserin Mevcut Bilgilere Ulşaşın | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | İYILEŞME Süresi Yok> 500mA (IO) | 650 V | 1.7 V @ 6 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 22.5a | 424pf @ 0V, 1MHz | |||
![]() | G3S06508J | 6.2800 | ![]() | 4678 | 0.00000000 | Global Suç Teknolojisi-GPT | - | Kesim Bant (CT) | Aktif | Delmek | 220-2 Izole Sekmesi | Sic (Silikon Karbür) Schottky | 220iso | indirmek | 1 (Sınezz) | Talep Üserin Mevcut Bilgilere Ulşaşın | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | İYILEŞME Süresi Yok> 500mA (IO) | 650 V | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 23a | 550pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G3S06512B | 6.6700 | ![]() | 9433 | 0.00000000 | Global Suç Teknolojisi-GPT | - | Kesim Bant (CT) | Aktif | Delmek | TO-247-3 | Sic (Silikon Karbür) Schottky | TO-247AB | indirmek | 1 (Sınezz) | Talep Üserin Mevcut Bilgilere Ulşaşın | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | İYILEŞME Süresi Yok> 500mA (IO) | 1 Çift Yaygiun Katot | 650 V | 27A (DC) | 1.7 V @ 6 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
![]() | G3S17005C | 25.7200 | ![]() | 2406 | 0.00000000 | Global Suç Teknolojisi-GPT | - | Kesim Bant (CT) | Aktif | Yezey MontaJı | TO-252-3, DPAK (2 Potansiyel Olma + Sekmesi), SC-63 | Sic (Silikon Karbür) Schottky | 252 | indirmek | 1 (Sınezz) | Talep Üserin Mevcut Bilgilere Ulşaşın | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | İYILEŞME Süresi Yok> 500mA (IO) | 1700 V | 1.7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA @ 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 27a | 780pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G4S06515HT | 8.3300 | ![]() | 1776 | 0.00000000 | Global Suç Teknolojisi-GPT | - | Kesim Bant (CT) | Aktif | Delmek | 220-2-tam paket | Sic (Silikon Karbür) Schottky | 220f - | indirmek | 1 (Sınezz) | Talep Üserin Mevcut Bilgilere Ulşaşın | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | İYILEŞME Süresi Yok> 500mA (IO) | 650 V | 1.7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 23.8A | 645pf @ 0V, 1MHz | |||
![]() | G3S12010A | 17.2000 | ![]() | 2786 | 0.00000000 | Global Suç Teknolojisi-GPT | - | Kesim Bant (CT) | Aktif | Delmek | 220-2 | Sic (Silikon Karbür) Schottky | TO-220AC | indirmek | 1 (Sınezz) | Talep Üserin Mevcut Bilgilere Ulşaşın | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | İYILEŞME Süresi Yok> 500mA (IO) | 1200 V | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 34.8a | 770pf @ 0V, 1MHz | |||
![]() | G3S06520P | 11.9400 | ![]() | 5761 | 0.00000000 | Global Suç Teknolojisi-GPT | - | Kesim Bant (CT) | Aktif | Delmek | 247-2 | Sic (Silikon Karbür) Schottky | TO-247AC | indirmek | 1 (Sınezz) | Talep Üserin Mevcut Bilgilere Ulşaşın | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | İYILEŞME Süresi Yok> 500mA (IO) | 650 V | 1.7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 60a | 1170pf @ 0V, 1MHz | |||
![]() | G3S17020B | 48.6200 | ![]() | 1387 | 0.00000000 | Global Suç Teknolojisi-GPT | - | Kesim Bant (CT) | Aktif | Delmek | TO-247-3 | Sic (Silikon Karbür) Schottky | TO-247AB | indirmek | 1 (Sınezz) | Talep Üserin Mevcut Bilgilere Ulşaşın | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | İYILEŞME Süresi Yok> 500mA (IO) | 1 Çift Yaygiun Katot | 1700 V | 24a (DC) | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 100 µA @ 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
![]() | G5S06506QT | 5.5400 | ![]() | 4125 | 0.00000000 | Global Suç Teknolojisi-GPT | - | Kesim Bant (CT) | Aktif | Yezey MontaJı | 4-Powertsfn | Sic (Silikon Karbür) Schottky | 4-DFN (8x8) | indirmek | 1 (Sınezz) | Talep Üserin Mevcut Bilgilere Ulşaşın | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | İYILEŞME Süresi Yok> 500mA (IO) | 650 V | 1.5 V @ 6 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 34a | 395pf @ 0V, 1MHz | |||
![]() | G5S12002H | 3.0000 | ![]() | 6277 | 0.00000000 | Global Suç Teknolojisi-GPT | - | Kesim Bant (CT) | Aktif | Delmek | 220-2-tam paket | Sic (Silikon Karbür) Schottky | 220f - | indirmek | 1 (Sınezz) | Talep Üserin Mevcut Bilgilere Ulşaşın | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | İYILEŞME Süresi Yok> 500mA (IO) | 1200 V | 1.7 V @ 2 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 7.5a | 170pf @ 0V, 1MHz | |||
![]() | G5S06504AT | 3.6600 | ![]() | 4724 | 0.00000000 | Global Suç Teknolojisi-GPT | - | Kesim Bant (CT) | Aktif | Delmek | 220-2 | Sic (Silikon Karbür) Schottky | TO-220AC | indirmek | 1 (Sınezz) | Talep Üserin Mevcut Bilgilere Ulşaşın | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | İYILEŞME Süresi Yok> 500mA (IO) | 650 V | 1.6 V @ 4 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 11.6a | 181pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G3S065100P | 59.4300 | ![]() | 6372 | 0.00000000 | Global Suç Teknolojisi-GPT | - | Kesim Bant (CT) | Aktif | Delmek | 247-2 | Sic (Silikon Karbür) Schottky | TO-247AC | indirmek | 1 (Sınezz) | Talep Üserin Mevcut Bilgilere Ulşaşın | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | İYILEŞME Süresi Yok> 500mA (IO) | 650 V | 1.7 V @ 40 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 20a | 13500pf @ 0V, 1MHz | |||
![]() | G4S06508CT | 4.6900 | ![]() | 1563 | 0.00000000 | Global Suç Teknolojisi-GPT | - | Kesim Bant (CT) | Aktif | Yezey MontaJı | TO-252-3, DPAK (2 Potansiyel Olma + Sekmesi), SC-63 | Sic (Silikon Karbür) Schottky | 252 | indirmek | 1 (Sınezz) | Talep Üserin Mevcut Bilgilere Ulşaşın | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | İYILEŞME Süresi Yok> 500mA (IO) | 650 V | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 24a | 395pf @ 0V, 1MHz | |||
![]() | G3S12004B | 6.7200 | ![]() | 3127 | 0.00000000 | Global Suç Teknolojisi-GPT | - | Kesim Bant (CT) | Aktif | Delmek | TO-247-3 | Sic (Silikon Karbür) Schottky | TO-247AB | indirmek | 1 (Sınezz) | Talep Üserin Mevcut Bilgilere Ulşaşın | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | İYILEŞME Süresi Yok> 500mA (IO) | 1 Çift Yaygiun Katot | 1200 V | 8.5a (DC) | 1.7 V @ 2 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
![]() | G4S06506CT | 3.9000 | ![]() | 2101 | 0.00000000 | Global Suç Teknolojisi-GPT | - | Kesim Bant (CT) | Aktif | Yezey MontaJı | TO-252-3, DPAK (2 Potansiyel Olma + Sekmesi), SC-63 | Sic (Silikon Karbür) Schottky | 252 | indirmek | 1 (Sınezz) | Talep Üserin Mevcut Bilgilere Ulşaşın | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | İYILEŞME Süresi Yok> 500mA (IO) | 650 V | 1.8 V @ 6 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 13.8a | 181pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G4S12020PM | 30.5100 | ![]() | 4007 | 0.00000000 | Global Suç Teknolojisi-GPT | - | Kesim Bant (CT) | Aktif | Delmek | 247-2 | Sic (Silikon Karbür) Schottky | TO-247AC | indirmek | 1 (Sınezz) | Talep Üserin Mevcut Bilgilere Ulşaşın | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | İYILEŞME Süresi Yok> 500mA (IO) | 1200 V | 1.6 V @ 20 A | 0 ns | 30 µA @ 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 64.5a | 2600pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G4S12020A | 33.5600 | ![]() | 8244 | 0.00000000 | Global Suç Teknolojisi-GPT | - | Kesim Bant (CT) | Aktif | Delmek | 220-2 | Sic (Silikon Karbür) Schottky | TO-220AC | - | 1 (Sınezz) | Talep Üserin Mevcut Bilgilere Ulşaşın | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | İYILEŞME Süresi Yok> 500mA (IO) | 1200 V | 1.7 V @ 120 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 73a | 2600pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G4S06540PT | 24.1500 | ![]() | 8892 | 0.00000000 | Global Suç Teknolojisi-GPT | - | Kesim Bant (CT) | Aktif | Delmek | 247-2 | Sic (Silikon Karbür) Schottky | TO-247AC | indirmek | 1 (Sınezz) | Talep Üserin Mevcut Bilgilere Ulşaşın | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | İYILEŞME Süresi Yok> 500mA (IO) | 650 V | 1.7 V @ 40 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 81.8A | 1860pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G3S17005A | 25.7200 | ![]() | 1837 | 0.00000000 | Global Suç Teknolojisi-GPT | - | Kesim Bant (CT) | Aktif | Delmek | 220-2 | Sic (Silikon Karbür) Schottky | TO-220AC | indirmek | 1 (Sınezz) | Talep Üserin Mevcut Bilgilere Ulşaşın | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | İYILEŞME Süresi Yok> 500mA (IO) | 1700 V | 1.7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA @ 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 28a | 800pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G3S06540B | 30.6100 | ![]() | 9682 | 0.00000000 | Global Suç Teknolojisi-GPT | - | Kesim Bant (CT) | Aktif | Delmek | TO-247-3 | Sic (Silikon Karbür) Schottky | TO-247AB | indirmek | 1 (Sınezz) | Talep Üserin Mevcut Bilgilere Ulşaşın | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | İYILEŞME Süresi Yok> 500mA (IO) | 1 Çift Yaygiun Katot | 650 V | 60A (DC) | 1.7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
![]() | G3S06508D | 4.8000 | ![]() | 9492 | 0.00000000 | Global Suç Teknolojisi-GPT | - | Kesim Bant (CT) | Aktif | Yezey MontaJı | TO-263-3, D²Pak (2 Kurşun + Sekmesi), TO-263AB | Sic (Silikon Karbür) Schottky | 263 | indirmek | 1 (Sınezz) | Talep Üserin Mevcut Bilgilere Ulşaşın | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | İYILEŞME Süresi Yok> 500mA (IO) | 650 V | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 25.5A | 550pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G4S06515QT | 8.6300 | ![]() | 2458 | 0.00000000 | Global Suç Teknolojisi-GPT | - | Kesim Bant (CT) | Aktif | Yezey MontaJı | 4-Powertsfn | Sic (Silikon Karbür) Schottky | 4-DFN (8x8) | indirmek | 1 (Sınezz) | Talep Üserin Mevcut Bilgilere Ulşaşın | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | İYILEŞME Süresi Yok> 500mA (IO) | 650 V | 1.7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 53a | 645pf @ 0V, 1MHz | |||
![]() | G3S12003H | 4.5600 | ![]() | 4100 | 0.00000000 | Global Suç Teknolojisi-GPT | - | Kesim Bant (CT) | Aktif | Delmek | 220-2-tam paket | Sic (Silikon Karbür) Schottky | 220f - | indirmek | 1 (Sınezz) | Talep Üserin Mevcut Bilgilere Ulşaşın | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | İYILEŞME Süresi Yok> 500mA (IO) | 1200 V | 1.7 V @ 3 A | 0 ns | 100 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 9A | 260pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G3S06503A | 2.7300 | ![]() | 400 | 0.00000000 | Global Suç Teknolojisi-GPT | - | Tüp | Aktif | Delmek | 220-2 | Sic (Silikon Karbür) Schottky | TO-220AC | indirmek | 1 (Sınezz) | Talep Üserin Mevcut Bilgilere Ulşaşın | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | İYILEŞME Süresi Yok> 500mA (IO) | 650 V | 1.7 V @ 3 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 11.5a | 181pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | Gas06520p | 11.1000 | ![]() | 4087 | 0.00000000 | Global Suç Teknolojisi-GPT | - | Kesim Bant (CT) | Aktif | Delmek | 247-2 | Sic (Silikon Karbür) Schottky | TO-247AC | indirmek | 1 (Sınezz) | Talep Üserin Mevcut Bilgilere Ulşaşın | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | İYILEŞME Süresi Yok> 500mA (IO) | 650 V | 1.7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 66.5a | 1390pf @ 0V, 1MHz | |||
![]() | G5S12015L | 15.2900 | ![]() | 4965 | 0.00000000 | Global Suç Teknolojisi-GPT | - | Kesim Bant (CT) | Aktif | Delmek | TO-247-3 | Sic (Silikon Karbür) Schottky | TO-247AB | indirmek | 1 (Sınezz) | Talep Üserin Mevcut Bilgilere Ulşaşın | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | İYILEŞME Süresi Yok> 500mA (IO) | 1200 V | 1.7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 55a | 1370pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G4S06508DT | 4.6900 | ![]() | 5576 | 0.00000000 | Global Suç Teknolojisi-GPT | - | Kesim Bant (CT) | Aktif | Yezey MontaJı | TO-263-3, D²Pak (2 Kurşun + Sekmesi), TO-263AB | Sic (Silikon Karbür) Schottky | 263 | indirmek | 1 (Sınezz) | Talep Üserin Mevcut Bilgilere Ulşaşın | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | İYILEŞME Süresi Yok> 500mA (IO) | 650 V | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 24a | 395pf @ 0V, 1MHz | |||
![]() | G5S06506CT | 4.8300 | ![]() | 2358 | 0.00000000 | Global Suç Teknolojisi-GPT | - | Kesim Bant (CT) | Aktif | Yezey MontaJı | TO-252-3, DPAK (2 Potansiyel Olma + Sekmesi), SC-63 | Sic (Silikon Karbür) Schottky | 252 | indirmek | 1 (Sınezz) | Talep Üserin Mevcut Bilgilere Ulşaşın | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | İYILEŞME Süresi Yok> 500mA (IO) | 650 V | 1.5 V @ 6 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 24a | 395pf @ 0V, 1MHz | |||
![]() | G3S12010P | 13.9300 | ![]() | 3811 | 0.00000000 | Global Suç Teknolojisi-GPT | - | Kesim Bant (CT) | Aktif | Delmek | 247-2 | Sic (Silikon Karbür) Schottky | TO-247AC | indirmek | 1 (Sınezz) | Talep Üserin Mevcut Bilgilere Ulşaşın | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | İYILEŞME Süresi Yok> 500mA (IO) | 1200 V | 1.7 V @ 110 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 37a | 765pf @ 0V, 1MHz |
Günlük ortalama RFQ hacmi
Standart Ürün Birimi
Dünya çapında üreticiler
Stock içi depo