P-kanallı mosfet açma koşulları

BirP-kanallı mosfet (PMOS)voltaj polaritesi ile birlikte, öncelikle kapı kaynağı voltajı (VGS) ve eşik voltajı (VTH) arasındaki ilişkiye tabi olan bir N kanallı mosfet (NMOS) 'na ters. İşte kilit noktalar:

1. Çekirdek açma koşulları

V_Gs= V_G−v_S(V_G= kapı voltajı, v_S= kaynak voltajı).

V'den beri_thPMO'lar tipik olarak negatiftir (örneğin, -1V, -2V), kapı voltajıönemli ölçüde daha düşükV'yi tatmin etmek için kaynak voltajından daha_Gs≤v_th.

Örnek:
Eğer v_th= −2V ve V_S=+5V, o zaman: V_G−5v≤ - 2v⟹v_G≤+3V
PMO'lar V._G3V altına düşer.

2. N-kanal ile karşılaştırmaMOSFET (NMO'lar)

3. Anahtar pratik hususlar

Yüksek taraflı anahtarlama:
PMO'laryüksek taraflı anahtar devrelerinde yaygın olarak kullanılır (güç kaynağına bağlı kaynak, yüke süzülür). Düşük kapı voltajı, yükü topraklayarak açar. Örnek:Pille çalışan devrelerde, PMOS yükü kontrol ederek mantık düzeyinde kontrolü basitleştirir.

Voltaj Polaritesi ve Tahrik Devresi:

PMO'lar biraşağı çeken sürücü(örneğin, bir NPN transistör veya NMO'lar) Kaynağın altındaki kapı voltajını düşürmek için.

CMOS mantığında (örneğin, invertörler), PMOS çıkışı yüksek çeker ve düşük çeken NMO'ları tamamlar.

Vücut diyot etkileri:

PMOS, kaynaktan drenaja bir dahili gövde diyotuna sahiptir. Tahliye voltajı kaynak voltajını aşarsa, diyot potansiyel olarak istenmeyen akım akışına neden olur.Tasarımcılar ters voltajlardan kaçınmalı veya koruyucu önlemler eklemelidir.

4. Özet